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STGWT80V60DF
IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-3P, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWT80V60DF
No. Parte Newark98Y2475
Rango de ProductoV
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.120 |
| 10+ | $4.700 |
| 25+ | $4.300 |
| 60+ | $4.100 |
| 120+ | $3.920 |
| 270+ | $3.740 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.12
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWT80V60DF
No. Parte Newark98Y2475
Rango de ProductoV
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua120
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.85
Disipación de Potencia469
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Colector a Emisor600
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorTO-3P
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de ProductoV
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
120
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
469
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600
Diseño de Transistor
TO-3P
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
V
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.85
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto