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STGWT60H65DFB
IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-3P
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWT60H65DFB
No. Parte Newark69AH2739
Rango de Producto650V HB
Hoja de datos técnicos
127 En Inventario
¿Necesita más?
50 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
77 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.760 |
| 10+ | $2.650 |
| 25+ | $2.380 |
| 60+ | $2.270 |
| 120+ | $2.140 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.76
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWT60H65DFB
No. Parte Newark69AH2739
Rango de Producto650V HB
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua80A
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.6V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia375W
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorTO-3P
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto650V HB
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
80A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
Diseño de Transistor
TO-3P
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
650V HB
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.6V
Disipación de Potencia
375W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto