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STGWA75H65DFB2
IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWA75H65DFB2
No. Parte Newark82AH9146
Rango de ProductoHB2
Hoja de datos técnicos
470 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.090 |
| 10+ | $4.130 |
| 25+ | $3.960 |
| 60+ | $3.780 |
| 120+ | $3.610 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.09
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWA75H65DFB2
No. Parte Newark82AH9146
Rango de ProductoHB2
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua115A
Corriente de Colector DC0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.55V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia357W
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorTO-247LL
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de ProductoHB2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
115A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.55V
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
Diseño de Transistor
TO-247LL
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
HB2
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
357W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto