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STGWA75H65DFB2
IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWA75H65DFB2
No. Parte Newark82AH9146
Rango de ProductoHB2
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.030 |
| 10+ | $5.270 |
| 25+ | $4.510 |
| 60+ | $3.760 |
| 120+ | $3.510 |
| 270+ | $3.260 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.03
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWA75H65DFB2
No. Parte Newark82AH9146
Rango de ProductoHB2
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua115
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.55
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia357
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor650
Diseño de TransistorTO-247LL
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de ProductoHB2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
115
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Diseño de Transistor
TO-247LL
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
HB2
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.55
Disipación de Potencia
357
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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