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STGW75M65DF2

TRANSISTOR, IGBT, 650V, 120A, TO-247

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Fabricante	STMICROELECTRONICS
No. Parte Fabricante	STGW75M65DF2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante	16 semanas
No. Parte Newark	11AN9693
Rango de Producto	M Series
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Fabricante	STMICROELECTRONICS
No. Parte Fabricante	STGW75M65DF2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante	16 semanas
No. Parte Newark	11AN9693
Rango de Producto	M Series
Corriente del Colector Continua	120A
Voltaje de Saturación Colector Emisor	1.65V
Disipación de Potencia	468W
Voltaje Máx. Colector a Emisor	650V
Diseño de Transistor	TO-247
No. de Pines	3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.	175°C
Montaje de Transistor	Through Hole
Rango de Producto	M Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)	No SVHC (05-Nov-2025)

Corriente del Colector Continua	120A
Disipación de Potencia	468W
Diseño de Transistor	TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.	175°C
Rango de Producto	M Series

Voltaje de Saturación Colector Emisor	1.65V
Voltaje Máx. Colector a Emisor	650V
No. de Pines	3Pines
Montaje de Transistor	Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)	No SVHC (05-Nov-2025)

US ECCN:	EAR99
EU ECCN:	Unknown
Conforme a RoHS:	Y-Ex RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):	Sí RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:	No SVHC (05-Nov-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto	Certificado de conformidad del producto