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STGW40H120DF2
IGBT, 80 A, 2.1 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark45AC7604
Rango de ProductoH
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $9.260 |
| 10+ | $6.290 |
| 25+ | $6.040 |
| 60+ | $5.840 |
| 120+ | $5.660 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGW40H120DF2Copiar
No. Parte Newark45AC7604
Rango de ProductoH
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC80A
Corriente del Colector Continua80
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.1
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2.1V
Disipación de Potencia468
Disipación de Potencia Pd468W
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de ProductoH
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
80A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.1
Disipación de Potencia
468
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
H
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Corriente del Colector Continua
80
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2.1V
Disipación de Potencia Pd
468W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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