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STGP7NC60HD
IGBT, 25 A, 2.5 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGP7NC60HD
No. Parte Newark38K7885
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.380 |
| 10+ | $1.270 |
| 100+ | $1.140 |
| 500+ | $0.973 |
| 1000+ | $0.943 |
| 2500+ | $0.907 |
| 10000+ | $0.857 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGP7NC60HD
No. Parte Newark38K7885
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua25
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.5
Disipación de Potencia80
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor600
Diseño de TransistorTO-220
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The STGP7NC60HD is a N-channel very fast IGBT with ultrafast diode. This device is very fast IGBT developed using advanced PowerMESH™ technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low ON-state behaviour. It is well-suited for resonant or soft-switching applications, SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies.
- Low on-voltage drop (VCE(sat))
- Off losses include tail current
- Losses include diode recovery energy
- High frequency operation up to 70kHz
- Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
25
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
80
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Diseño de Transistor
TO-220
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.5
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (4)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto