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STGF30M65DF2
IGBT, 60 A, 1.55 V, 38 W, 650 V, TO-220FP, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGF30M65DF2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark69AH2729
Rango de Producto650V M
Su número de pieza
517 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.360 |
| 10+ | $2.560 |
| 100+ | $1.760 |
| 500+ | $1.700 |
| 1000+ | $1.630 |
| 2500+ | $1.570 |
| 5000+ | $1.550 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.36
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGF30M65DF2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark69AH2729
Rango de Producto650V M
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua60
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.55
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia38
Voltaje Máx. Colector a Emisor650
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorTO-220FP
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto650V M
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.55
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650
Diseño de Transistor
TO-220FP
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
650V M
Corriente del Colector Continua
60
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
38
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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