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STGE200NB60S
Módulo IGBT, Sencillo, 200 A, 1.6 V, 600 W, 150 °C, ISOTOP
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGE200NB60S
No. Parte Newark24M7922
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $29.490 |
| 5+ | $25.530 |
| 10+ | $21.580 |
| 30+ | $20.500 |
| 50+ | $19.430 |
| 100+ | $18.780 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGE200NB60S
No. Parte Newark24M7922
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua0
Configuración IGBTSingle
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Corriente del Colector Continua200
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.6
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Disipación de Potencia600
Temperatura de Trabajo Máx.150
Diseño de TransistorISOTOP
No. de Pines0
Terminación del IGBTScrew
Voltaje Máx. Colector a Emisor600
Tecnología IGBT-
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The STGE200NB60S is a N-channel low drop PowerMESH™ IGBT using the latest high voltage technology based on a patented strip layout. STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The suffix S identifies a family optimized to achieve very low VCE(sat) (at maximum frequency of 1kHz).
- High input impedance (voltage driven)
- Low on-voltage drop (Vcesat)
- Off losses include tail current
- Low gate charge
- High current capability
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
0
Corriente de Colector DC
0
Corriente del Colector Continua
200
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
600
Diseño de Transistor
ISOTOP
Terminación del IGBT
Screw
Tecnología IGBT
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Configuración IGBT
Single
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.6
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
No. de Pines
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600
Montaje de Transistor
Panel
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Documentos técnicos (2)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto