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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGE200NB60S
No. Parte Newark24M7922
Hoja de datos técnicos
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1 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $28.630 |
| 5+ | $24.790 |
| 10+ | $20.950 |
| 30+ | $19.900 |
| 50+ | $18.860 |
| 100+ | $17.960 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$28.63
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGE200NB60S
No. Parte Newark24M7922
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua0
Configuración IGBTSingle
Corriente del Colector Continua200
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.6
Disipación de Potencia600
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Diseño de TransistorISOTOP
No. de Pines0
Terminación del IGBTScrew
Voltaje Máx. Colector a Emisor600
Tecnología IGBT-
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The STGE200NB60S is a N-channel low drop PowerMESH™ IGBT using the latest high voltage technology based on a patented strip layout. STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The suffix S identifies a family optimized to achieve very low VCE(sat) (at maximum frequency of 1kHz).
- High input impedance (voltage driven)
- Low on-voltage drop (Vcesat)
- Off losses include tail current
- Low gate charge
- High current capability
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
0
Configuración IGBT
Single
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.6
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Diseño de Transistor
ISOTOP
Terminación del IGBT
Screw
Tecnología IGBT
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Corriente del Colector Continua
0
Corriente del Colector Continua
200
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
600
Temperatura de Trabajo Máx.
150
No. de Pines
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600
Montaje de Transistor
Panel
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto