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STF5NK100Z
MOSFET Transistor, N Channel, 1.75 A, 1 kV, 2.7 ohm, 30 V, 3.75 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF5NK100Z
No. Parte Newark33R1209
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.540 |
| 10+ | $2.720 |
| 100+ | $2.530 |
| 500+ | $2.370 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF5NK100Z
No. Parte Newark33R1209
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1kV
Intensidad Drenador Continua Id1.75A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.7ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)30V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia30W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.7ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
30V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1.75A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
30W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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