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STF5N62K3
MOSFET Transistor, N Channel, 4.2 A, 620 V, 1.28 ohm, 10 V, 3.75 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF5N62K3
No. Parte Newark94T3402
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF5N62K3
No. Parte Newark94T3402
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds620V
Intensidad Drenador Continua Id4.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.28ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia25W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
620V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.28ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.2A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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