Imprimir página
STF40N60M2
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 34 A, 0.078 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STF40N60M2Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 semanas |
| No. Parte Newark | 45AC7573 |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
2,588 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.730 |
| 10+ | $5.500 |
| 100+ | $4.240 |
| 500+ | $3.710 |
| 1000+ | $3.640 |
| 2500+ | $3.560 |
| 10000+ | $3.490 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$7.73
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STF40N60M2Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 semanas |
| No. Parte Newark | 45AC7573 |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 34 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.078 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.078ohm |
| Diseño de Transistor | TO-220FP |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Disipación de Potencia Pd | 40W |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| Disipación de Potencia | 40 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.078 |
| Diseño de Transistor | TO-220FP |
| Disipación de Potencia Pd | 40W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 34 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.078ohm |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia | 40 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |