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STF28NM50N
MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF28NM50N
No. Parte Newark94T3392
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.700 |
| 10+ | $5.750 |
| 25+ | $5.000 |
| 50+ | $4.500 |
| 100+ | $3.990 |
| 250+ | $3.380 |
| 500+ | $3.210 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF28NM50N
No. Parte Newark94T3392
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500V
Intensidad Drenador Continua Id21A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.135ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia35W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220FP
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
21A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.135ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
35W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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