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STF25N60M2-EP
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STF25N60M2-EPCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 semanas |
| No. Parte Newark | 45AC7569 |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
721 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.530 |
| 10+ | $3.390 |
| 25+ | $3.150 |
| 50+ | $2.900 |
| 100+ | $2.740 |
| 250+ | $2.600 |
| 500+ | $2.460 |
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Información del producto
| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STF25N60M2-EPCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 semanas |
| No. Parte Newark | 45AC7569 |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 18 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.175 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.175ohm |
| Diseño de Transistor | TO-220FP |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia Pd | 30W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| Disipación de Potencia | 30 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
STF25N60M2-EP is a N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 enhanced performance (EP) technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance, optimized switching characteristics with very low turn-off switching losses, rendering it suitable for the most demanding very high-frequency converters. Typical applications switching applications and tailored for very high frequency converters (f <gt/> 150KHz).
- Excellent output capacitance (COSS) profile
- Very low turn-off switching losses
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
- 600V drain-source breakdown voltage at VGS = 0V, ID = 1mA
- 0.188ohm static drain-source on-resistance max
- 18A drain current (continuous) at TC = 25°C
- TO-220FP package
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.175 |
| Diseño de Transistor | TO-220FP |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 18 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.175ohm |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Disipación de Potencia Pd | 30W |
| Disipación de Potencia | 30 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STF25N60M2-EP
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |