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STF13NM60ND
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF13NM60ND
No. Parte Newark26AH0163
Rango de ProductoFDmesh II
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.340 |
| 10+ | $2.960 |
| 100+ | $2.800 |
| 500+ | $2.550 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF13NM60ND
No. Parte Newark26AH0163
Rango de ProductoFDmesh II
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id11
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.32
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia25
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoFDmesh II
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza STF13NM60ND
2 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
FDmesh II
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
11
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.32
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto