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STF11NM80
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF11NM80
No. Parte Newark33R1190
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 10+ | $3.820 |
| 25+ | $3.770 |
| 50+ | $3.730 |
| 100+ | $3.680 |
| 250+ | $3.650 |
| 500+ | $3.620 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF11NM80
No. Parte Newark33R1190
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id11
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.35
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia35
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza STF11NM80
3 productos encontrados
Resumen del producto
The STF11NM80 is a 800V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing proprietary strip technique, MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior.
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
- Best RDS (on)
- High peak power
- High ruggedness capability
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
11
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.35
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
35
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto