Imprimir página
STF10N60M2
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF10N60M2
No. Parte Newark45AC7550
Rango de ProductoMDmesh M2
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
60 En Inventario
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.000 |
| 10+ | $1.080 |
| 100+ | $1.000 |
| 500+ | $0.840 |
| 1000+ | $0.809 |
| 2500+ | $0.763 |
| 10000+ | $0.705 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.00
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF10N60M2
No. Parte Newark45AC7550
Rango de ProductoMDmesh M2
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id7.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.55
Resistencia de Activación Rds(on)0.55ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia25
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh M2
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
STF10N60M2 is a N-channel power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters. Typical used for switching applications.
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (Coss) profile
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
- 650V drain-source breakdown voltage at Tjmax
- 4V gate threshold voltage at VDS = VGS, ID = 250µA
- 0.60 ohm static drain-source on-resistance max
- TO-220FP package
- 7.5A drain current (continuous) at TC = 25 °C
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.55
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh M2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
7.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.55ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
25W
Disipación de Potencia
25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto