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STF10N60M2
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STF10N60M2Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 semanas |
| No. Parte Newark | 45AC7550 |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.330 |
| 10+ | $1.580 |
| 100+ | $1.150 |
| 500+ | $0.902 |
| 1000+ | $0.884 |
| 2500+ | $0.866 |
| 5000+ | $0.848 |
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Información del producto
| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STF10N60M2Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 semanas |
| No. Parte Newark | 45AC7550 |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 7.5 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.55ohm |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.55 |
| Diseño de Transistor | TO-220FP |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia Pd | 25W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| Disipación de Potencia | 25 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
STF10N60M2 is a N-channel power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters. Typical used for switching applications.
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (Coss) profile
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
- 650V drain-source breakdown voltage at Tjmax
- 4V gate threshold voltage at VDS = VGS, ID = 250µA
- 0.60 ohm static drain-source on-resistance max
- TO-220FP package
- 7.5A drain current (continuous) at TC = 25 °C
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.55ohm |
| Diseño de Transistor | TO-220FP |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 7.5 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.55 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Disipación de Potencia Pd | 25W |
| Disipación de Potencia | 25 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |