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STE145N65M5
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Canal N, 143 A, 650 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTE145N65M5Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark45AC7546
Rango de ProductoMDmesh M5
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25 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $34.050 |
| 5+ | $29.540 |
| 10+ | $25.020 |
| 30+ | $23.410 |
| 50+ | $21.790 |
| 100+ | $20.920 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$34.05
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTE145N65M5Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark45AC7546
Rango de ProductoMDmesh M5
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Intensidad Drenador Continua Id143
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.012
Resistencia de Activación Rds(on)0.012ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia679
Disipación de Potencia Pd679W
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh M5
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
143
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.012
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
679
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0.012ohm
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
679W
Rango de Producto
MDmesh M5
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto