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STD5NM60T4
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD5NM60T4
No. Parte Newark26M3528
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.380 |
| 10+ | $1.310 |
| 25+ | $1.300 |
| 50+ | $1.290 |
| 100+ | $1.280 |
| 250+ | $1.280 |
| 500+ | $1.270 |
| 1000+ | $1.270 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD5NM60T4
No. Parte Newark26M3528
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id5
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd96W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia96
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STD5NM60T4 es un canal N El MDOSh™ Power MOSFET tiene una excelente resistencia a la baja, dv/dt impresionantemente alto y excelentes características de avalancha. El MDmesh™ es una nueva y revolucionaria tecnología Power MOSFET que asocia el proceso de drenaje múltiple con el diseño horizontal PowerMESH™ de la compañía. La adopción de la técnica de tira patentada de la compañía produce un rendimiento dinámico general significativamente mejor que el de productos de la competencia similar.
- 100% prueba de avalancha
- Capacidades de alta dv/dt y avalancha
- Capacitancia de entrada baja y carga de puerta
- Baja resistencia de entrada de compuerta
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
96
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
96W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD5NM60T4
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto