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STD5NK50ZT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 4.4 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD5NK50ZT4
No. Parte Newark26M3525
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.879 |
| 10+ | $0.852 |
| 25+ | $0.847 |
| 50+ | $0.842 |
| 100+ | $0.837 |
| 250+ | $0.834 |
| 500+ | $0.695 |
| 1000+ | $0.657 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.771 |
| 5000+ | $0.755 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD5NK50ZT4
No. Parte Newark26M3525
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id4.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.5
Resistencia de Activación Rds(on)1.5ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd70W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia70
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STD5NK50ZT4 es un MOSFET protegido por Zener de canal N SuperMESH™ obtenido a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes. La serie complementa la gama completa de MOSFET de alto voltaje, incluidos los revolucionarios productos MDmesh™.
- 1.22Ω RDS (ENCENDIDO)
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Capacidad ESD mejorada
- 100% avalancha
- Carga de puerta minimizada
- Capacidades intrínsecas muy bajas
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.4
Resistencia de Activación Rds(on)
1.5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
70W
Disipación de Potencia
70
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.5
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD5NK50ZT4
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto