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STD5NK40Z-1
MOSFET de Potencia, Canal N, 400 V, 3 A, 1.47 ohm, TO-251AA, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD5NK40Z-1
No. Parte Newark26M3523
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.510 |
| 10+ | $0.854 |
| 150+ | $0.800 |
| 525+ | $0.705 |
| 1050+ | $0.611 |
| 2550+ | $0.502 |
| 10050+ | $0.477 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD5NK40Z-1
No. Parte Newark26M3523
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400
Intensidad Drenador Continua Id3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.47
Resistencia de Activación Rds(on)1.47ohm
Diseño de TransistorTO-251AA
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd45W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia45
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STD5NK40Z-1 es un MOSFET de Poder protegido por Zener de canal N SuperMESH ™ obtenido a través de una optimización extrema de la bien establecida disposición de PowerMESH ™ basada en tiras de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes.
- 1.47Ω RDS (ENCENDIDO)
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- 100% prueba de avalancha
- Carga de puerta minimizada
- Capacidades intrínsecas muy bajas
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3
Resistencia de Activación Rds(on)
1.47ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
45W
Disipación de Potencia
45
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.47
Diseño de Transistor
TO-251AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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