STD5N60DM2

MOSFET, N-CH, 600V, 3.5A, 150DEG C, 45W

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STMICROELECTRONICS STD5N60DM2
No. Parte FabricanteSTD5N60DM2
No. Parte Newark26AH0151
Rango de ProductoMDmesh DM2
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Información del producto

No. Parte FabricanteSTD5N60DM2
No. Parte Newark26AH0151
Rango de ProductoMDmesh DM2
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id3.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.38ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia45W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh DM2
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)

Especificaciones técnicas

Transistor, Polaridad

0

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

600V

Resistencia de Activación Rds(on)

0

Diseño de Transistor

TO-252 (DPAK)

Voltaje de Prueba Rds(on)

10V

Disipación de Potencia Pd

0

No. de Pines

3Pines

Rango de Producto

MDmesh DM2

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

MSL 1 - Unlimited

Tipo de Canal

N Channel

Intensidad Drenador Continua Id

3.5A

Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente

1.38ohm

Montaje de Transistor

Surface Mount

Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente

4V

Disipación de Potencia

45W

Temperatura de Trabajo Máx.

150°C

Calificación

-

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

No SVHC (25-Jun-2025)

Legislación y medioambiente

US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Fecha y lote