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STD5N52U
MOSFET de Potencia, Canal N, 525 V, 4.4 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD5N52U
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)99W9710
Cinta adhesiva99W9710
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.630 |
| 10+ | $1.240 |
| 25+ | $1.130 |
| 50+ | $1.020 |
| 100+ | $0.913 |
| 250+ | $0.842 |
| 500+ | $0.770 |
| 1000+ | $0.721 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD5N52U
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)99W9710
Cinta adhesiva99W9710
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds525
Intensidad Drenador Continua Id4.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia70
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The STD5N52U is an UltraFASTmesh™ N-channel Power MOSFET combines the advantages of reduced ON-resistance, Zener gate protection. It has very high dV/dt capability with an enhanced fast body-drain recovery diode.
- Outstanding dV/dt capability
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitances
- Very low RDS (ON)
- Extremely low trr
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
525
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.5ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
4.4
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
70
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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