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STD4NK80ZT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 1.5 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD4NK80ZT4
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33R1164
Cinta adhesiva33R1164
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Hoja de datos técnicos
5,322 En Inventario
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.350 |
| 10+ | $1.830 |
| 25+ | $1.650 |
| 50+ | $1.450 |
| 100+ | $1.230 |
| 250+ | $1.080 |
| 500+ | $0.857 |
| 1000+ | $0.809 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD4NK80ZT4
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33R1164
Cinta adhesiva33R1164
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id1.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3
Resistencia de Activación Rds(on)3ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd80W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia80
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STD4NK80ZT4 es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ que ofrece protección Zener y carga de puerta minimizada. El SuperMESH™ se obtiene a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de ENCENDIDO, se toman especialidades para garantizar una muy buena capacidad dV/dt para las aplicaciones más exigentes. Este MOSFET complementa la gama ST completa de MOSFET de potencia de alto voltaje, incluidos los revolucionarios productos MDmesh™.
- 100% prueba de avalancha
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.5
Resistencia de Activación Rds(on)
3ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
80
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
80W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD4NK80ZT4
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto