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STD4NK60ZT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD4NK60ZT4
No. Parte Newark26M3522
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.170 |
| 10+ | $1.070 |
| 25+ | $1.020 |
| 50+ | $0.981 |
| 100+ | $0.885 |
| 250+ | $0.770 |
| 500+ | $0.614 |
| 1000+ | $0.579 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD4NK60ZT4
No. Parte Newark26M3522
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2
Resistencia de Activación Rds(on)2ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd70W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.3
Disipación de Potencia70
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STD4NK60ZT4 es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ que ofrece protección Zener. Este MOSFET de Potencia desarrollado utilizando la tecnología SuperMESH™ de STMicroelectronics, se logró a través de la optimización del bien establecido diseño de PowerMESH™ basado en tiras de ST. Además de una reducción significativa en la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes.
- Capacitancia intrínseca muy baja
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4
Resistencia de Activación Rds(on)
2ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
70W
Disipación de Potencia
70
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD4NK60ZT4
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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