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STD3NK90ZT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 900 V, 1.5 A, 4.1 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD3NK90ZT4
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33R1156
Cinta adhesiva33R1156
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Hoja de datos técnicos
4,472 En Inventario
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.280 |
| 10+ | $1.850 |
| 25+ | $1.610 |
| 50+ | $1.410 |
| 100+ | $1.200 |
| 250+ | $1.040 |
| 500+ | $0.830 |
| 1000+ | $0.784 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD3NK90ZT4
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33R1156
Cinta adhesiva33R1156
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900
Intensidad Drenador Continua Id1.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4.1
Resistencia de Activación Rds(on)4.1ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd90W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia90
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STD3NK90ZT4 es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ que ofrece protección Zener y carga de puerta minimizada. La serie SuperMESH™ se obtiene a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes.
- 100% prueba de avalancha
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.5
Resistencia de Activación Rds(on)
4.1ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
90W
Disipación de Potencia
90
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4.1
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
WARNINGProposition 65