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STD35NF06T4
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD35NF06T4
No. Parte Newark89K1549
Rango de ProductoSerie STD
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 11 semanas
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD35NF06T4
No. Parte Newark89K1549
Rango de ProductoSerie STD
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id35A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.024ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd55W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia55W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Calificación-
Rango de ProductoSerie STD
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
55W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
35A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.024ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
55W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
Serie STD
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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