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STD30NF06LT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD30NF06LT4
No. Parte Newark33R1158
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 10+ | $1.370 |
| 25+ | $1.250 |
| 50+ | $1.140 |
| 100+ | $1.020 |
| 250+ | $0.937 |
| 500+ | $0.853 |
| 1000+ | $0.804 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD30NF06LT4
No. Parte Newark33R1158
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)2.5
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia70
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
2.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
35
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
70
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
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Alternativas para el número de pieza STD30NF06LT4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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