Imprimir página
STD2NK90Z-1
MOSFET de Potencia, Canal N, 900 V, 1.05 A, 5 ohm, TO-251AA, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STD2NK90Z-1Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 16 semanas |
| No. Parte Newark | 33R1149 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
51 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.860 |
| 10+ | $1.480 |
| 100+ | $1.360 |
| 500+ | $1.170 |
| 1000+ | $1.120 |
| 2500+ | $1.110 |
| 10000+ | $1.090 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.86
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STD2NK90Z-1Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 16 semanas |
| No. Parte Newark | 33R1149 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 900 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 1.05 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 5ohm |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 5 |
| Diseño de Transistor | TO-251AA |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Disipación de Potencia Pd | 70W |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3.75 |
| Disipación de Potencia | 70 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
El STD2NK90Z-1 es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ que ofrece protección Zener y carga de puerta minimizada. El SuperMESH™ se obtiene a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes. Este MOSFET complementa la gama ST completa de MOSFET de alto voltaje, incluidos los revolucionarios productos MDmesh™.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- 100% prueba de avalancha
- Capacidad ESD mejorada
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 1.05 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 5 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia | 70 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 900 |
|---|---|
| Resistencia de Activación Rds(on) | 5ohm |
| Diseño de Transistor | TO-251AA |
| Disipación de Potencia Pd | 70W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3.75 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
| Trazabilidad del producto |