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STD2NK90Z-1
MOSFET de Potencia, Canal N, 900 V, 1.05 A, 5 ohm, TO-251AA, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.400 |
| 10+ | $1.460 |
| 100+ | $1.350 |
| 500+ | $1.160 |
| 1000+ | $1.030 |
| 2500+ | $0.981 |
| 10000+ | $0.932 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD2NK90Z-1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark33R1149
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900
Intensidad Drenador Continua Id1.05
Resistencia de Activación Rds(on)5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5
Diseño de TransistorTO-251AA
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd70W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia70
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STD2NK90Z-1 es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ que ofrece protección Zener y carga de puerta minimizada. El SuperMESH™ se obtiene a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes. Este MOSFET complementa la gama ST completa de MOSFET de alto voltaje, incluidos los revolucionarios productos MDmesh™.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- 100% prueba de avalancha
- Capacidad ESD mejorada
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.05
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
70
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900
Resistencia de Activación Rds(on)
5ohm
Diseño de Transistor
TO-251AA
Disipación de Potencia Pd
70W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto