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STD25NF10T4
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 12.5 A, 33 mohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD25NF10T4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33R1152RL
Cinta adhesiva33R1152
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.970 | $1.97 |
| Total Precio | $1.97 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.970 |
| 50+ | $1.300 |
| 100+ | $0.910 |
| 250+ | $0.828 |
| 500+ | $0.745 |
| 1000+ | $0.692 |
| 2500+ | $0.678 |
| 5000+ | $0.664 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD25NF10T4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33R1152RL
Cinta adhesiva33R1152
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id12.5
Resistencia de Activación Rds(on)0.033ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente33
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd100W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia100
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STD25NF10T4 es un MOSFET de potencia de canal N STripFET™ II diseñado específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de la puerta. Es adecuado como interruptor principal en convertidores de CD a CD aislados de alta eficiencia avanzados para aplicaciones informáticas y de telecomunicaciones. También está destinado a cualquier aplicación con requisitos de accionamiento de carga de puerta baja.
- Capacidad excepcional de dV/dt
- Aplicación orientada a la caracterización
- 100% prueba de avalancha
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
12.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
33
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
100
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.033ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
100W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD25NF10T4
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto