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STD20NF20
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD20NF20Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo28AC3286
Hilado completo86AK6473
Re-reeling (Rollos a medida)59M2144RL
Cinta adhesiva59M2144
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8,426 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $3.300 | $16.50 |
| Total Precio | $16.50 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $3.300 |
| 50+ | $2.230 |
| 100+ | $1.620 |
| 250+ | $1.490 |
| 500+ | $1.360 |
| 1000+ | $1.310 |
| 2500+ | $1.280 |
| 5000+ | $1.260 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $1.190 |
| 5000+ | $0.908 |
| 10000+ | $0.899 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD20NF20Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo28AC3286
Hilado completo86AK6473
Re-reeling (Rollos a medida)59M2144RL
Cinta adhesiva59M2144
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id18A
Resistencia de Activación Rds(on)0.125ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.125ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd90W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia90W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STD20NF20 es un MOSFET de potencia de canal N STripFET™ diseñado para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de la puerta. El STD20NF20 es un MOSFET de potencia de canal N STripFET™ diseñado para minimizar la capacidad de entrada y la carga de la puerta.
- Capacidad excepcional de dV/dt
- Baja carga de compuerta
- 100% prueba de avalancha
- Temperatura de unión de operación entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
18A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.125ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
90W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.125ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
90W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD20NF20
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto