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STD20NF06LT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 24 A, 0.04 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD20NF06LT4
No. Parte Newark05M3408
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.450 |
| 10+ | $1.100 |
| 25+ | $1.040 |
| 50+ | $0.979 |
| 100+ | $0.919 |
| 250+ | $0.853 |
| 500+ | $0.787 |
| 1000+ | $0.736 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD20NF06LT4
No. Parte Newark05M3408
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id24
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.032ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd60W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia60
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STD20NF06LT4 es un MOSFET de potencia de canal N STripFET™ II desarrollado utilizando el exclusivo proceso basado en tiras Single Feature Size™ de STMicroelectronics. El dispositivo tiene una densidad de empaquetamiento extremadamente alta para baja resistencia al encendido, características de avalancha robusta y pasos de alineación menos críticos, por lo tanto, una reproducibilidad de fabricación notable.
- Capacidad excepcional de dV/dt
- 100% prueba de avalancha
- Aplicación orientada a la caracterización
- Temperatura de unión de operación entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
24
Resistencia de Activación Rds(on)
0.032ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
60
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
60W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD20NF06LT4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
WARNINGProposition 65