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STD20NF06LT4
MOSFET, N, LÃGICA, D-PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD20NF06LT4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6472
Re-reeling (Rollos a medida)05M3408RL
Cinta adhesiva05M3408
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77,042 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.920 | $9.60 |
| Total Precio | $9.60 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.920 |
| 10+ | $1.290 |
| 15+ | $1.200 |
| 25+ | $1.100 |
| 50+ | $1.010 |
| 125+ | $0.918 |
| 250+ | $0.840 |
| 500+ | $0.762 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.674 |
| 7500+ | $0.629 |
| 12500+ | $0.616 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD20NF06LT4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6472
Re-reeling (Rollos a medida)05M3408RL
Cinta adhesiva05M3408
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id24A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.032ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd60W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia60W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STD20NF06LT4 es un MOSFET de potencia de canal N STripFET™ II desarrollado utilizando el exclusivo proceso basado en tiras Single Feature Size™ de STMicroelectronics. El dispositivo tiene una densidad de empaquetamiento extremadamente alta para baja resistencia al encendido, características de avalancha robusta y pasos de alineación menos críticos, por lo tanto, una reproducibilidad de fabricación notable.
- Capacidad excepcional de dV/dt
- 100% prueba de avalancha
- Aplicación orientada a la caracterización
- Temperatura de unión de operación entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
24A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.032ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
60W
Disipación de Potencia
60W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD20NF06LT4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
