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STD1NK60T4
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD1NK60T4
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6455
Cinta adhesiva33R1142
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 16 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.200 |
| 10+ | $0.952 |
| 25+ | $0.842 |
| 50+ | $0.739 |
| 100+ | $0.627 |
| 250+ | $0.546 |
| 500+ | $0.435 |
| 1000+ | $0.410 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.504 |
| 5000+ | $0.489 |
| 10000+ | $0.473 |
| 15000+ | $0.470 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD1NK60T4
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6455
Cinta adhesiva33R1142
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id500mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8.5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)8ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd30W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia30W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STD1NK60T4 es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ con carga de compuerta minimizada. El SuperMESH™ se obtiene a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes. Este MOSFET complementa la gama ST completa de MOSFET de potencia de alto voltaje, incluidos los revolucionarios productos MDmesh™.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Capacidad ESD mejorada
- 100% prueba de avalancha
- Nuevo punto de referencia de alta tensión
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
500mA
Resistencia de Activación Rds(on)
8ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
30W
Disipación de Potencia
30W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8.5ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD1NK60T4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto