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STD1NK60T4
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD1NK60T4
No. Parte Newark33R1142
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 16 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.200 |
| 10+ | $0.952 |
| 25+ | $0.842 |
| 50+ | $0.739 |
| 100+ | $0.627 |
| 250+ | $0.546 |
| 500+ | $0.435 |
| 1000+ | $0.410 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD1NK60T4
No. Parte Newark33R1142
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8.5
Resistencia de Activación Rds(on)8ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd30W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia30
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STD1NK60T4 es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ con carga de compuerta minimizada. El SuperMESH™ se obtiene a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes. Este MOSFET complementa la gama ST completa de MOSFET de potencia de alto voltaje, incluidos los revolucionarios productos MDmesh™.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Capacidad ESD mejorada
- 100% prueba de avalancha
- Nuevo punto de referencia de alta tensión
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
500
Resistencia de Activación Rds(on)
8ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
30W
Disipación de Potencia
30
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8.5
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Alternativas para el número de pieza STD1NK60T4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto