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STD17NF03LT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD17NF03LT4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante29 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6467
Re-reeling (Rollos a medida)26M3508RL
Cinta adhesiva26M3508
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.838 | $0.84 |
| Total Precio | $0.84 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.838 |
| 50+ | $0.409 |
| 100+ | $0.367 |
| 250+ | $0.330 |
| 500+ | $0.292 |
| 1000+ | $0.268 |
| 2500+ | $0.263 |
| 5000+ | $0.257 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.305 |
| 7500+ | $0.277 |
| 12500+ | $0.271 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD17NF03LT4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante29 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6467
Re-reeling (Rollos a medida)26M3508RL
Cinta adhesiva26M3508
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id17A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.05ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)16V
Disipación de Potencia Pd30W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia30W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STD17NF03LT4 es un MOSFET de potencia de canal N STripFET™ II desarrollado utilizando el exclusivo proceso basado en tiras Single Feature Size™ de STMicroelectronics. El dispositivo tiene una densidad de empaquetamiento extremadamente alta para baja resistencia al encendido, características de avalancha robusta y pasos de alineación menos críticos, por lo tanto, una reproducibilidad de fabricación notable.
- Capacidad excepcional de dV/dt
- Carga baja en la puerta a 100°C
- Aplicación orientada a la caracterización
- 100% prueba de avalancha
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
17A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.05ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
30W
Disipación de Potencia
30W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.05ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
16V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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