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STD16N60M2
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STD16N60M2Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 semanas |
| No. Parte Newark | Re-reeling (Rollos a medida)45AC7534RL Cinta adhesiva45AC7534 |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
2,545 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.490 | $2.49 |
| Total Precio | $2.49 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.490 |
| 10+ | $1.670 |
| 100+ | $1.200 |
| 500+ | $1.000 |
| 1000+ | $0.980 |
| 2500+ | $0.960 |
| 10000+ | $0.940 |
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Información del producto
| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | STD16N60M2Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 semanas |
| No. Parte Newark | Re-reeling (Rollos a medida)45AC7534RL Cinta adhesiva45AC7534 |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 12 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.28 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.28ohm |
| Diseño de Transistor | TO-252 (DPAK) |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Disipación de Potencia Pd | 110W |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| Disipación de Potencia | 110 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 600 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.28 |
| Diseño de Transistor | TO-252 (DPAK) |
| Disipación de Potencia Pd | 110W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | MDmesh M2 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 12 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.28ohm |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia | 110 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD16N60M2
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |