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STD15NF10T4
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 23 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD15NF10T4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6463
Re-reeling (Rollos a medida)33R1145RL
Cinta adhesiva33R1145
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.870 | $1.87 |
| Total Precio | $1.87 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.870 |
| 50+ | $1.220 |
| 100+ | $0.848 |
| 250+ | $0.769 |
| 500+ | $0.689 |
| 1000+ | $0.638 |
| 2500+ | $0.625 |
| 5000+ | $0.612 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.492 |
| 5000+ | $0.474 |
| 10000+ | $0.455 |
| 15000+ | $0.435 |
| 25000+ | $0.427 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD15NF10T4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6463
Re-reeling (Rollos a medida)33R1145RL
Cinta adhesiva33R1145
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id23A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia70W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The STD15NF10T4 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high-efficiency, high-frequency isolated DC-to-DC converters for telecom and computer applications. It is also intended for any applications with low gate drive requirements.
- Exceptional dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Application oriented characterization
- -55 to 175°C Operating junction temperature
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
23A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
70W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza STD15NF10T4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto