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STD10P6F6
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD10P6F6
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6458
Re-reeling (Rollos a medida)98Y2467
Cinta adhesiva98Y2467
Rango de ProductoDeepGATE STripFET VI
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
3,388 En Inventario
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3388 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
0 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.520 |
| 10+ | $1.010 |
| 25+ | $0.908 |
| 50+ | $0.809 |
| 100+ | $0.711 |
| 250+ | $0.648 |
| 500+ | $0.584 |
| 1000+ | $0.544 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.506 |
| 5000+ | $0.492 |
| 10000+ | $0.478 |
| 15000+ | $0.469 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD10P6F6
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6458
Re-reeling (Rollos a medida)98Y2467
Cinta adhesiva98Y2467
Rango de ProductoDeepGATE STripFET VI
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id10A
Resistencia de Activación Rds(on)0.13ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.16ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia35W
Disipación de Potencia Pd35W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoDeepGATE STripFET VI
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia STripFET™ F6 de canal P de 60V y 10A en paquete DPAK de 3 pines
- Muy baja resistencia-encendido
- Carga de puerta muy baja
- Gran rugosidad ante avalanchas
- Pérdida de potencia de accionamiento de puerta baja
- Apto para aplicaciones de conmutación
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.13ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
35W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
DeepGATE STripFET VI
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
10A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.16ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
35W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD10P6F6
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto