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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD10NM60ND
No. Parte Newark94T3328
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.840 |
| 10+ | $2.030 |
| 100+ | $1.510 |
| 500+ | $1.300 |
| 1000+ | $1.150 |
| 2500+ | $1.100 |
| 10000+ | $1.070 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.84
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD10NM60ND
No. Parte Newark94T3328
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id8A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.57ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia70W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.57ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
70W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza STD10NM60ND
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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