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STD10N60M2
MOSFET, N-CH, 600V, 7.5A, TO-252
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD10N60M2Copiar
No. Parte Newark51AC9541
Rango de ProductoMDmesh M2
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.710 |
| 10+ | $1.080 |
| 100+ | $0.720 |
| 500+ | $0.574 |
| 1000+ | $0.524 |
| 2500+ | $0.474 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD10N60M2Copiar
No. Parte Newark51AC9541
Rango de ProductoMDmesh M2
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id7.5
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.55
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia85
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh M2
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh M2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
7.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.55
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
85
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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