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STD100N10F7
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD100N10F7
No. Parte Newark98Y2468
Rango de ProductoDeepGATE STripFET VII
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.360 |
| 10+ | $1.860 |
| 25+ | $1.790 |
| 50+ | $1.720 |
| 100+ | $1.650 |
| 250+ | $1.560 |
| 500+ | $1.470 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD100N10F7
No. Parte Newark98Y2468
Rango de ProductoDeepGATE STripFET VII
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id80
Resistencia de Activación Rds(on)0.0068ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0068
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia Pd120W
Disipación de Potencia120
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoDeepGATE STripFET VII
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza STD100N10F7
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia STripFET™ F7 de canal N de 100V y 80A en paquete DPAK de 3 pines
- Entre los RDS (activado) más bajos del mercado
- Excelente FoM (figura de mérito)
- Relación Crss/Ciss baja para inmunidad a EMI
- Gran rugosidad ante avalanchas
- Apto para aplicaciones de conmutación
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0068ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
120W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
DeepGATE STripFET VII
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0068
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia
120
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto