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STB9NK60ZT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 3.5 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB9NK60ZT4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33R1139RL
Cinta adhesiva33R1139
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.360 | $4.36 |
| Total Precio | $4.36 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.360 |
| 50+ | $2.490 |
| 100+ | $1.980 |
| 250+ | $1.910 |
| 500+ | $1.830 |
| 1000+ | $1.790 |
| 2500+ | $1.760 |
| 5000+ | $1.720 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB9NK60ZT4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33R1139RL
Cinta adhesiva33R1139
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id3.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.85
Resistencia de Activación Rds(on)0.85ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd125W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia125
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STB9NK60ZT4 es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ que ofrece protección Zener y carga de puerta minimizada. Este MOSFET de Potencia desarrollado utilizando la tecnología SuperMESH™ de STMicroelectronics, se logró a través de la optimización del bien establecido diseño de PowerMESH™ basado en tiras de ST. Además de una reducción significativa en la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes.
- Capacidad ESD mejorada
- 100% prueba de avalancha
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.85ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.85
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto