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STB8NM60T4
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 8 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB8NM60T4Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)99W9708
Cinta adhesiva99W9708
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.500 | $4.50 |
| Total Precio | $4.50 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.500 |
| 10+ | $1.800 |
| 50+ | $1.790 |
| 500+ | $1.780 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB8NM60T4Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)99W9708
Cinta adhesiva99W9708
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.9
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia100
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The STB8NM60T4 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. The MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product has an outstanding low ON-resistance, impressively high dV/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the company's proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition's products.
- 100% Avalanche tested
- High dV/dt and avalanche capabilities
- Low gate input resistance
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.9
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
100
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto