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STB75NF20
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 37 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB75NF20
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33R1133
Cinta adhesiva33R1133
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.080 |
| 10+ | $3.470 |
| 25+ | $3.400 |
| 50+ | $3.340 |
| 100+ | $3.270 |
| 250+ | $3.240 |
| 500+ | $3.220 |
| 1000+ | $2.830 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB75NF20
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)33R1133
Cinta adhesiva33R1133
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id37
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028
Resistencia de Activación Rds(on)0.028ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd190W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia190
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STB75NF20 es un MOSFET de potencia de canal N STripFET™ II diseñado específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de la puerta. Es adecuado como interruptor primario en convertidores CD a CD aislados de alta eficiencia avanzados.
- Capacidad excepcional de dV/dt
- Baja carga de compuerta
- 100% prueba de avalancha
- Temperatura de unión de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
37
Resistencia de Activación Rds(on)
0.028ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
190W
Disipación de Potencia
190
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto