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STB6NK90ZT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 900 V, 5.8 A, 2 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB6NK90ZT4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87AK5789
Re-reeling (Rollos a medida)33R1128RL
Cinta adhesiva33R1128
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.630 | $3.63 |
| Total Precio | $3.63 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.630 |
| 50+ | $2.190 |
| 100+ | $2.020 |
| 250+ | $1.890 |
| 500+ | $1.750 |
| 1000+ | $1.710 |
| 2500+ | $1.660 |
| 5000+ | $1.550 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $1.850 |
| 3000+ | $1.710 |
| 5000+ | $1.680 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB6NK90ZT4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87AK5789
Re-reeling (Rollos a medida)33R1128RL
Cinta adhesiva33R1128
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900V
Intensidad Drenador Continua Id5.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2ohm
Resistencia de Activación Rds(on)1.56ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd140W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia140W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STB6NK90ZT4 es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ que ofrece protección Zener y carga de puerta minimizada. El SuperMESH™ se obtiene a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes. Este MOSFET complementa la gama completa ST de MOSFET de alto voltaje.
- 100% prueba de avalancha
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
140W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.8
Resistencia de Activación Rds(on)
1.56ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
140W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza STB6NK90ZT4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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