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STB60NF06LT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB60NF06LT4
No. Parte Newark
Hilado completo87AK5790
Re-reeling (Rollos a medida)34M8658
Cinta adhesiva34M8658
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Hoja de datos técnicos
5,848 En Inventario
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Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.890 |
| 10+ | $1.980 |
| 25+ | $1.810 |
| 50+ | $1.630 |
| 100+ | $1.460 |
| 250+ | $1.350 |
| 500+ | $1.230 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $1.130 |
| 2000+ | $1.100 |
| 4000+ | $1.070 |
| 6000+ | $1.060 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB60NF06LT4
No. Parte Newark
Hilado completo87AK5790
Re-reeling (Rollos a medida)34M8658
Cinta adhesiva34M8658
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.014ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.016ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd110W
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia110W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STB60NF06LT4 es un MOSFET de potencia de canal N STripFET™ II desarrollado utilizando el exclusivo proceso basado en tiras Single Feature Size™ de STMicroelectronics. El dispositivo tiene una densidad de empaquetamiento extremadamente alta para baja resistencia al encendido, características de avalancha robusta y pasos de alineación menos críticos, por lo tanto, una reproducibilidad de fabricación notable.
- Unidad de umbral bajo
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.014ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
110W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.016ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Disipación de Potencia
110W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza STB60NF06LT4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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