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STB30NF10T4
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB30NF10T4
No. Parte Newark33R1116
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.220 |
| 10+ | $1.490 |
| 25+ | $1.360 |
| 50+ | $1.220 |
| 100+ | $1.090 |
| 250+ | $1.020 |
| 500+ | $0.950 |
| 1000+ | $0.825 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB30NF10T4
No. Parte Newark33R1116
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id15
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.038
Resistencia de Activación Rds(on)0.038ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd115W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia115
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STB30NF10T4 es un MOSFET de potencia de canal N STripFET™ II con carga de compuerta baja. El dispositivo es el último desarrollo del exclusivo proceso basado en tiras Single Feature Size™ de STMicroelectronics. Tiene una densidad de empaquetamiento extremadamente alta para baja resistencia ON, características de avalancha robustas y pasos de alineación menos críticos, por lo tanto, una notable reproducibilidad de fabricación.
- Capacidad excepcional de dV/dt
- 100% prueba de avalancha
- Aplicación orientada a la caracterización
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
15
Resistencia de Activación Rds(on)
0.038ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
115W
Disipación de Potencia
115
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.038
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto