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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB25N80K5
No. Parte Newark69AH2673
Rango de ProductoMDmesh K5
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Hoja de datos técnicos
909 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.850 |
| 10+ | $5.180 |
| 25+ | $4.800 |
| 50+ | $4.420 |
| 100+ | $4.040 |
| 250+ | $4.030 |
| 500+ | $4.010 |
| 1000+ | $3.470 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB25N80K5
No. Parte Newark69AH2673
Rango de ProductoMDmesh K5
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id19.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.19ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia250W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh K5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.19ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
250W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh K5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
19.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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